3）光吸收剂，安徽与潜在的饱和吸收有关

一个温和的解决方案是将生长的外延层从基板上剥离和转移，开展这允许高度不匹配的材料系统的异质集成。因此，年年通过异质外延实现高效率器件的单片集成变得复杂、昂贵、耗时。

此外，度电电量调整剥离的面积产量取决于转移的石墨烯层的质量。然而，力直随着Si上不同材料的异质集成变得越来越重要，我们相信这些方法将被重新审视和改进，以更快的产量和更低的成本。我们探索未来的集成计算系统，接交及可以利用先进的外延生长和liftoff方法。

领域匹配外延(domainmatchingepitaxy,DME)是一种典型的生长方式，易合月份它通过匹配界面上主要晶格平面区域来实现高质量的材料外延生长。这个过程类似于机械剥落，分月但有几个优点：首先，剥落深度是由二维材料的位置决定的，而不是由金属应力源膜的应力决定的，因此更容易控制。

因此，工作需要创新的方法来克服这些严格的外延晶格匹配规则，提高可制造性和可采用率。

这种技术对于生长在高能带隙衬底上的外延薄膜来说是快速和稳定的，安徽但因此在材料的可能范围方面受到限制当晶格失配率在几个百分点以上时，开展薄膜的hc大约为几个纳米，这意味着晶格匹配是实现无位错外延的严格要求。

块体2D材料表面没有悬空键，年年靠非常弱的vdW力将其结合在一起。度电电量调整[5,6]vdWE是一种在二维和三维材料上进行外延的方法2D材料或3D材料表面有钝化悬空键的表面。

欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，力直投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP。接交及我们将其分为二维材料辅助外延(图3a)和几何定义的外延技术(图3b)。